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IBM研究人員發(fā)明了在碳納米管上移動電子的技術(shù)。碳納米管直徑是人類頭發(fā)的萬分之一，導(dǎo)電能力非常強(qiáng)。IBM周四公布的突破是，它發(fā)明了一種技術(shù)，能在原子量級上把特定類型金屬與碳納米管結(jié)合，創(chuàng)建一個在不影響芯片性能的情況下在碳納米管上移動電子所需要的極其微小的觸點(diǎn)。這是一個關(guān)鍵的突破，未來研究人員可以利用碳納米管取代硅晶體管。
   這一研究意味著，芯片廠商可能生產(chǎn)晶體管間距接近3納米的芯片。目前，最先進(jìn)芯片晶體管間距在11-14納米，但要縮短間距越來越困難。今年早些時候，IBM高調(diào)宣布已經(jīng)生產(chǎn)出晶體管間距為7納米的芯片。
   信息經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)是，由于芯片廠商能推出集成度不斷提高的芯片，計算和存儲設(shè)備的價格越來越低。正是在這一被稱作摩爾定律的發(fā)展趨勢的推動下，計算機(jī)的計算能力和存儲容量有了指數(shù)級的增長。
   但是，隨著目前芯片制造工藝物理極限的臨近，計算產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度面臨停擺的威脅。晶體管間距小到一定程度時，會發(fā)生電子泄露現(xiàn)象。解決電子泄露問題需要復(fù)雜和昂貴的制造工藝。
   英特爾首席執(zhí)行官科再奇(Brian Krzanich)今年早些時候在一次投資者電話會議上表示，該公司發(fā)布新芯片的節(jié)奏將落后于摩爾定律，因為縮短芯片上晶體管間的間距越來越困難了。這正是IBM的研究希望解決的問題。